substrato di cristallo singolo Al2O3, <0001> 100 mm di diametro x 0,65 mm 1sp - ALC100D065C1

• Zaffiro (cristallo singolo di Al₂O₃ ) viene ampiamente utilizzato come substrato per i nitruri III-V e per molti altri film epitassiali.
• Orientamento: Piano C spento 0,2+/- 0.1^o verso il piano M a sinistra rispetto al Primario; 0 +/- 0.1^o verso il piano A
  
• Diametro: 100 mm+/-0,1
• Spessore: 0,65 mm +/-0,025
  
• Piano maggiore: asse A[11-20]+/-0,3^o
• Lunghezza del piatto maggiore: 30 mm +/- 1 mm
• Finitura superficiale: lato anteriore: Epi-lucidato Ra<=0,3nm (da AFM); Lato posteriore: rettifica fine (Ra:0,8-1,2 um)
  
• TTV: <= 20um
• Confezione: Ogni wafer è confezionato in una camera bianca di classe 1000. 

Proprietà tipiche:

• Struttura cristallina: Esagonale. a=4,758 Angstroms c=12,99 Angstroms
• Punto di fusione: 2040 gradi C
• Densità: 3,97 grammi/cm² 
• Tecnica di crescita: CZ
• Purezza del cristallo: >99.99%
• Durezza: 9 ( mohs)
• Termico Espansione: 7.5x10^{-6 (}/ ^oC)
• Conduttività termica: 46.06 @ 0 ^oC, 25.12 @ 100 ^oC, 12.56 @ 400 ^oC ( W/(m.K) ) 
• Costante dielettrica: ~ 9,4 @300K all'asse A ~ 11,58@ 300K a asse C
• Tangente di perdita a 10 GHz: < 2x10^-5  sull'asse A,  <5 x10^-5  sull'asse C

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