LaAlO3, (100) orn. substrato 20x20 x 0,5 mm, un lato lucidato
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LaAlO3, (100) orn. substrato 20x20 x 0,5 mm, un lato lucidato
LaAlO3, (100) orn. substrato 20x20 x 0,5 mm, un lato lucidato
MTI
LaAlO3 è un cristallo singolo che offre una buona corrispondenza reticolare con molti materiali con struttura a perovskite. È un eccellente substrato per la crescita epitassiale di superconduttori ad alta Tc e di film sottili magnetici e ferroelettrici. Le proprietà dielettriche di LaAlO3 sono adatte per applicazioni a microonde e risonanza dielettrica a bassa perdita.
Specifiche tecniche
Dimensioni del wafer: 20x20 x 0,5 mm di spessore +/-0,05 mm,
Orientamento del wafer: (100) +/-0,5 gradi
Lucidatura: lucidatura CMP su un lato con danni sub-superficiali gratuiti.
Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 10A
Imballato in camera bianca di classe 1000 (pronto per l'EPI) e in un sacchetto di plastica di grado 100 in un contenitore per wafer.
Costante di Lattice a=3,792Å Pseudocubico
- Attenzione: Il cristallo LaAlO3 presenta una gemma visibile sulla superficie lucidata, che è di natura normale.
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Proprietà fisiche tipiche |
Struttura del cristallo |
Pseudo cubica a=3,792Å |
Metodo di crescita |
Czochralski |
Densità |
6.52 g/cm3 |
Punto di fusione |
2080 oC |
Espansione termica |
10 (x10-6/ oC) |
Costante dielettrica |
~ 25 |
Tangente di perdita a 10 GHz |
~3x10-4 @ 300K , ~0.6 x10-4 @77K |
Colore e aspetto |
Da marrone a marrone in base alle condizioni di ricottura Gemme visibili sul substrato lucidato. |
Stabilità chimica |
Insolubile negli acidi minerali a 25 oC e solubile in H3PO3 a> 150 oC |
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