LaAlO3, (100) Ori. wafer da 0,5" x1,0 mm 1 SP

  LaAlO₃ fornisce una buona corrispondenza reticolare con molti materiali con struttura perovskite. È un substrato eccellente per la crescita epitassiale di superconduttori ad alta Tc e di film sottili magnetici e ferroelettrici. Le proprietà dielettriche del cristallo LaAlO3 sono adatte per applicazioni a microonde e risonanza dielettrica a bassa perdita.

Specifiche del substrato:

• Dimensioni del wafer: diametro 0,5" +/- 0,5 mm x 1,0 spessore +/-0,05 mm
• Orientamento del wafer: (100) +/-0,5 gradi 
• Orientamento dei bordi: <001> +/-1 Deg 
• Lucidatura: lucidato con CMP con sotto-superficie libera danneggiata
• Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 10A
• Pacchetto: In camera bianca di classe 1000 e in un sacchetto di plastica di grado 100 in un contenitore per wafer.
• Lattice costante a=3,792ŠPseudo cubica )
• Attenzione: Il cristallo LaAlO3 presenta una gemma visibile sulla superficie lucidata, che è di natura normale.
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Proprietà fisiche tipiche

Struttura cristallina

Pseudo Cubico a=3,792Š

Metodo di crescita

Czochralski

Densità

6,52 g/cm³

Punto di fusione

2080 ^oC

Espansione termica

 10 (x10^-6/ ^oC)

Costante dielettrica

~ 25 

Tangente di perdita a 10 GHz

~3x10^-4 a 300K , ~0,6 x10^-4 @77K

Colore e aspetto

Da trasparente a marrone in base alle condizioni di ricottura. Gemelle visibili sul substrato lucidato

Stabilità chimica

Insolubile in acidi minerali a 25 ^oC e solubile in H3PO3 a> 150 ^oC