InSb (111)B diametro 2" x 0,5 mm, non drogato, tipo N, lucidato su un lato - ISUcB50D05C1US

Wafer InSb da 2" (tipo N, non drogato)

•  Dimensioni:                      2" di diametro x 0,5 mm di spessore
• Orientamento <111>B +/-0,5^o  con due piatti di riferimento
•  Lucidatura:            un lato lucidato (lato posteriore inciso)
• Imballaggio: Sigillato sotto azoto con contenitore per singolo wafer in camera bianca di classe 1000

Caratteristiche

• Metodo di crescita                                                 LEC
• Orientazione                                                         (111)B  +/- 0.5^o
• Orientamento Piatto                                                          
• Doping  Non drogato
• Tipo di conducibilità                                               Tipo N
• Concentrazione del vettore  5E13-3E14 @77K
• Mobilità   >400000 cm^2/V.s  
• EPD   <500 cm^-2