InSb (111)A 49 mm di diametro x 0,5 mm, non drogato, tipo N, un lato lucidato

Wafer di InSb da 2" (tipo N, non drogato)

•  Dimensioni:                      49 mm di diametro x 0,5 mm di spessore
• Orientamento <111> +/-0,5^o  con due piastre di riferimento
•  Lucidatura:            un lato lucidato (lato posteriore inciso)
• Imballaggio: Sigillato sotto azoto con contenitore per singolo wafer in camera bianca di classe 1000

Caratteristiche

• Metodo di crescita                                                 LEC
• Orientazione                                                         (111)A  +/- 0.5^o
• Orientamento Piatto                                                          
• Doping  Non drogato
• Tipo di conducibilità                                               Tipo N
• Concentrazione del vettore                                    <1E14 @77K
• Mobilità   >2E5 cm^2/V.s  
• EPD   <500 cm^-2