MTI  |  SKU: IPSna50D035C1US

InP-(VGF- Grown) (100) drogato con Sn, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

€458,85

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

InP-(VGF- Grown) (100) drogato con Sn, wafer da 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

Wafer a cristallo singolo di InP
Metodo di crescita:  VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" diametro x 0,35 mm
Doping: Drogato con Sn
Tipo di conduzione: S-C-N
Lucidatura: un lato lucidato
Resistività: (2,82-2,99)x10^-3 ohm.cm
Mobilità: 2170-2220 cmE2/V.S
EPD: <5000 /cmE2
Concernenza del vettore: (9,62-9,99) x10^17 /cm^3
Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm

Superficie e imballaggio pronti per l'EPI



 
Torna all'inizio