MTI  |  SKU: IPScA50D05C1US

InP - (cresciuto in VGF), (111)A, drogato con S, wafer da 2" x 0,5 mm, 1sp - IPScA50D05C1US

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InP - (cresciuto in VGF), (111)A, drogato con S, wafer da 2" x 0,5 mm, 1sp - IPScA50D05C1US

MTI

  • Wafer a cristallo singolo di InP
  • Metodo di crescita:  VGF
  • Orientamento: (111)A
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
  • Doping: Drogato S
  • Tipo di conduzione: S-C-N
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Resistività: (0,87-1,19)x10^-3 ohm.cm
  • Mobilità: 1400-1670 cmE2/V.S
  • EPD: N/A
  • Concentrazione del vettore: (3,15-5,15) x10^18 /cm^3
  • Rugosità superficiale: <4 nm
  • Superficie e imballaggio pronti per l'EPI



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