InAs (111)A, tipo P, drogato Zn diametro 2" x 0,45 mm, un lato lucidato

Wafer di InAs da 2" (tipo P)

• Wafer da 2" di InAs  
• Tipo P, drogato Zn
• Dimensioni: diametro 2" x 450 micron +/-20 micron
• Orientamento: <111>A
•  Lucidatura: lucidatura su un lato
• Resistività: 5.1x10^-2 ohm-cm
• Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer

Caratteristiche

• Metodo di crescita LEC
• Orientazione (111) A 
• Orientamento piatto SEMI  
• Doping Zn drogato
• Tipo di conducibilità Tipo P
• Concentrazione di portatori 6.4E17/ cm³
• Mobilità 192 cm²/V.S  
• Resistività 5,1x10^-2 Ohm-Cm
• EPD 1,9E4 / cm ²

 
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