InAs (100), non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, due lati lucidati

Wafer di InAs da 2" (tipo N)

• Wafer di InAs da 2": (non drogato, tipo N)
• Dimensioni: 2" dia x 500 micron +/-25 micron
• Orientamento: <100> +/-0.5⁰

•  Lucidatura: due lati lucidati
• Metodo di crescita: LEC
• Orientamento piatto principale: <1-10>
• Minore bemolle Orientamento: <0-11>
• Mobilità: (18000-20000) cm^2/V.s
• Concentrazione del vettore: < 3 E16 cm^-3
• EPD: <5000 /cm^2
• Imballaggio: in camera bianca di classe 1000 con contenitore per wafer

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