MTI  |  SKU: IASna101005S1

InAs, (100), drogato Sn, tipo N, 10m-10m x10mm x 0,5mm 1sp - IASna101005S1

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InAs, (100), drogato Sn, tipo N, 10m-10m x10mm x 0,5mm 1sp - IASna101005S1

MTI

  • Metodo di crescita LEC
  • Orientamento (100)± 0,5 Deg
  • Orientamento piattoN/A
  • DopingSn drogato
  • Tipo di conducibilitàN
  • Concentrazione di portatori (3-10)E17cm3
  • Mobilità >11000 cm2/V.S
  • EPD <15000 / cm 2
  • Spessore standard 500 ±20 mm
  • Dimensione 10x10 mm
  • Lato polacco



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