MTI  |  SKU: GATea0505035S1US

GaAs (100), tipo N drogato con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

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GaAs (100), tipo N drogato con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (100) 
  • Dimensioni: 5 x 5 x 0,35 mm
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Doping: Drogato con Te
  • Tipo di conduttore: Tipo N
  • Concentrazione di portatori: (3,04-5,98) x 10^17 /cm^3
  • Mobilità: (3330-3850) cm^2/V.S
  • Resistività: (3,14-5,34) E-3 ohm-cm
  • EPD: < 5000 /cm^2
  • Nota: lucidatura EPI
  • RMS < 5 Angstrom

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