Diamante su wafer di silicio (DOS), 5x5 mm, spessore 2 um, Ra 10 nm

Specifiche:

• Dimensione del wafer: 5mmx5mmx0.5mm
• Orientamento del wafer di silicio: (100) + / - 0,5^o
• Spessore del film diamantato: 2 micron
• Resistività: 10E3 ~ 10E4 ohm-cm
• Rugosità superficiale: lucidatura CMP su un lato con rugosità superficiale < 10 nm
• Pacchetto: Una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100

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