Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 50 nm su Si (100), diametro 2" x 0,30 mm t, tipo N, non drogato, R>1000 ohm-cm

Strato di ossido termico

• Grado di ricerca, circa 80% di area utile
  
• Strato di SiO2 su wafer di silicio da 2 pollici
• Spessore dello strato di ossido: 50 nm ( 500A) +/-10%
• Indice di rifrazione: 1,455

Specifiche del wafer di silicio:

• Tipo conduttivo: Tipo N/non drogato
• Resistività: >1000 ohm-cm
• Dimensioni: 50,8 diametro +/- 0,5 mm x 0,3 +/- 0,025 mm
• Orientamento: (100) +/- 1^o
• Lucidatura: un lato lucidato
• Rugosità superficiale, Ra: < 5A (RMS)

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