Templato di AlN non drogato su silicio ( Si <111> Tipo P ) 10mmx10mm x 200 nm - FmAlNonSiBc101005S1FT200nm

Il Template AlN su Silicio è realizzato con un PVDNC metodo PVDNC. Il template di AlN su silicio è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di AlN.

Specifiche tecniche

• Area utile: 90%
• Spessore nominale AlN: 200nm ±10%, film AlN rivestito su un lato e non drogato
• Superficie frontale: <1nm RMS, as-grown
• Superficie posteriore: silicio come ricevuto
• Orientamento AlN: piano c (00.1)
• Densità di macrodifetti: <1/cm^2
• Base del wafer: Silicio [111] di tipo P, 10x10 x0,5 mm, un lato lucidato

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• Per la scheda delle proprietà fisiche della sagoma AlN, fare clic qui.

 Dati correlati

• AlN SCHEDA DI SICUREZZA

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