Templato di AlN non drogato su silicio da 2" ( Si <111> , tipo N ) 2 "x 200 nm - FmAlNonSiPc50D05C1FT200nmUS

Il Template di AlN su silicio è realizzato con un PVDNC metodo PVDNC. Il template di AlN su silicio è un modo economico per sostituire il substrato di cristallo singolo di AlN.

Specifiche tecniche

• Area utile: 90%
• Spessore nominale dell'AlN: 200 nm ± 5%, film di AlN non drogato rivestito su un lato
• Superficie frontale: Come cresciuto
• Superficie posteriore: Silicio come ricevuto
• Orientamento AlN: Piano C (00.1)
• Densità dei macrodifetti: <5/cm^2
• Base del wafer: Silicio [111] tipo N, diametro 2" x0,5 mm, resistività: <5 ohm-cm, un lato lucidato

•   AlN SCHEDA DI SICUREZZA
  
  

   

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