MTI  |  SKU: FmSOS1010046S2FT10US

Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 10mmx 10mmx0,46mm, 2sp, film: spessore 1,0 um

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Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 10mmx 10mmx0,46mm, 2sp, film: spessore 1,0 um

MTI

  

Il silicio su zaffiro (SOS) è un materiale etero-epitassialeprocesso per circuito integratoche consiste in uno strato sottile (tipicamente più sottile di 0,6 micrometri) di siliciocresciuto su un zaffiro (Al2O3). SOS fa parte del programma Silicio su isolante (SOI) della famiglia CMOS tecnologie CMOS. La tecnologia SOS è utilizzata principalmente in aerospaziale e militare applicazioni militari grazie alla sua intrinseca resistenza alle radiazioni.

Materiali: Silicio su zaffiro
 

Strato EPI di silicio:

  • Orientamento del silicio: (100)
  • Tipo, drogante: Tipo intrinseco, non drogato
  • Spessore del silicio: 1,0 um +/- 10%
  • Resistività: > 100 ohm.cm
  • Densità delle microparticelle (per particelle > 2 um) < 2/cm^2
     
Wafer di zaffiro:
  • Piano R -- (1-102) con singolo piano
  • Dimensioni del wafer: 10x10 x 0,46 mm di spessore 
  • Superficie frontale: Epi-lucidata (Ra < 4 nm)
  • Superficie posteriore: Lucidatura di grado ottico
  • TTV < 15 um, arco < 20 um, curvatura < 20 um, planarità (TIR) < 12 um


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