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MTI | SKU:
FmSOS100DD046C2FT05US
Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 2sp, film: 0,5 um di spessore,
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Silicio su zaffiro (11-02, piano R), 100 mm di diametro x 0,46 mm, 2sp, film: 0,5 um di spessore,
MTI
Il silicio su zaffiro (SOS) è un materiale etero-epitassialeprocesso per circuito integratoche consiste in uno strato sottile (tipicamente più sottile di 0,6 micrometri) di siliciocresciuto su un zaffiro (Al2O3). SOS fa parte del programma Silicio su isolante (SOI) della famiglia CMOS tecnologie CMOS. La tecnologia SOS è utilizzata principalmente in aerospaziale e militareapplicazioni militari grazie alla sua intrinseca resistenza alle radiazioni.
Il Dipartimento del Commercio degli Stati Uniti richiede un certificato per l'utente finale per l'esportazione di questo prodotto. Gli utenti finali d'oltreoceano devono presentare il modulo di certificazione per l'utente finale (fare clic per scaricare) e tutte le vendite sono soggette all'approvazione del Ministero del Commercio degli Stati Uniti prima della spedizione.
Wafer SOS (Silicio su Zaffiro) (DSP (doppio lato lucidato)
Strato EPI di silicio:
- Silicio Orientamento: (100)
- Tipo, drogante: Tipo intrinseco, non drogato
- Spessore del silicio: 0,5 um +/- 10%
- Resistività: > 100 ohm.cm
- Densità delle microparticelle (per particelle > 2 um) < 2/cm^2
Wafer di zaffiro:
- Piano R -- (1-102) con singolo piano
Purezza: 99,996%. - Dimensioni del wafer: 100 mm di diametro x 0,46 mm di spessore
- Piatto : Un piatto di 32,5 mm +/-2,5 mm, a 45+/- 1 gradi CCW da
in poi. - Superficie anteriore: Epi-lucidato (Ra < = 0,3 nm)
- Superficie posteriore: Lucidatura di grado ottico
- TTV < 15 um, Bow < 20 um, Warp < 20 um, Flatness (TIR) < 12 um, con marcatura laser sul lato posteriore del wafer, appena sotto il Flat
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