MTI | SKU: R76D05C2FT500US

Film sottile YBCO 500nm (due lati) su Al2O3 (piano R), diametro 3" x0,5 mm, 2sp - R76D05C2FT500US

Name: Film sottile YBCO 500nm (due lati) su Al2O3 (piano R), diametro 3" x0,5 mm, 2sp - R76D05C2FT500US
Brand: MTI
SKU: R76D05C2FT500US
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Film sottile YBCO 500nm (due lati) su Al2O3 (piano R), diametro 3" x0,5 mm, 2sp - R76D05C2FT500US

MTI

Film sottile epitassiale YBCO HTS fino a 3" (75 mm)

MTI Corp si unisce a diversi istituti di ricerca in tutto il mondo per realizzare finalmente superconduttori ad alta Tc.

superconduttivo ad alta Tc, finalmente disponibile in commercio a un prezzo accessibile. MTI fornisce film epitassiali bifacciali di alta qualità.

fino a 3" di diametro su substrati di cristallo singolo LaAlO3, LSAT, Al2O3 e SrTiO3 grazie a una tecnologia unica.

Questo renderà disponibile il film sottile YBCO a costi molto bassi. I ricercatori non hanno più bisogno di coltivare film sottili, ma concentrano il loro talento sui dispositivi legati ai film HTSC, come i filtri a microonde per il wireless e gli HTSC Squid.

Specifiche principali del film HTS

Composizione del film sottile epitassiale	<100> YBCO YBa2Cu3Ox ( X= 6,7 -6,9
Dimensione del film sia per film su un lato che su due lati	YBCO / LaAlO3 10x10 mm ~ 3" dia. YBCO / LSAT 10x10 mm ~ 2" dia. YBCO / Al2O3 10x10 mm ~ 3" dia YBCO / STO 10x10 mm ~ 1" dia.
FWHM epitassiale	< 0.2 ^o
Temperatura di transizione critica Tc	90 K+/-5%
Intervallo di temperatura di transizione Tc	< 0.5 K
Corrente critica Jc	2~3 MA/cm2 @ 77K 0T
Resistività superficiale Rs	< 1 m Ohm @ 10 GHz, 77K, 0T
Spessore del film sottile	100 ~ 500 nm
Uniformità per wafer da 2	Spessore 300-400nm Tc 86K-90K Jc 3 +/-0,5 MA/cm² all'80% del centro del wafer. Nota: Il campione deve essere conservato in una scatola asciutta e in un forno a vuoto, altrimenti la Tc potrebbe essere inferiore. L'anealing del campione a 500oC per < 30 minuti può recuperare la Tc.
Pacchetto	Sigillato sotto vuoto in una scatola di plastica e in un sacchetto.

Film YBCO a doppia faccia da 3" su LaAlO3 Jc Uniformità misurata FZK Schema XRD di film Epi YBCO su LAO

Nota: YBCO è molto sensibile all'umidità, e deve essere conservato in essiccatore scatola.

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Film sottile YBCO 500nm (due lati) su Al2O3 (piano R), diametro 3" x0,5 mm, 2sp - R76D05C2FT500US

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Film sottile epitassiale YBCO HTS fino a 3" (75 mm)

MTI Corp si unisce a diversi istituti di ricerca in tutto il mondo per realizzare finalmente superconduttori ad alta Tc.

superconduttivo ad alta Tc, finalmente disponibile in commercio a un prezzo accessibile. MTI fornisce film epitassiali bifacciali di alta qualità.

fino a 3" di diametro su substrati di cristallo singolo LaAlO3, LSAT, Al2O3 e SrTiO3 grazie a una tecnologia unica.

Questo renderà disponibile il film sottile YBCO a costi molto bassi. I ricercatori non hanno più bisogno di coltivare film sottili, ma concentrano il loro talento sui dispositivi legati ai film HTSC, come i filtri a microonde per il wireless e gli HTSC Squid.

Specifiche principali del film HTS

Composizione del film sottile epitassiale

<100> YBCO

YBa2Cu3Ox ( X= 6,7 -6,9

Dimensione del film

sia per film su un lato che su due lati

YBCO / LaAlO3 10x10 mm ~ 3" dia.

YBCO / LSAT 10x10 mm ~ 2" dia.

YBCO / Al2O3 10x10 mm ~ 3" dia

YBCO / STO 10x10 mm ~ 1" dia.

FWHM epitassiale

< 0.2 o

Temperatura di transizione critica Tc

90 K+/-5%

Intervallo di temperatura di transizione Tc

< 0.5 K

Corrente critica Jc

2~3 MA/cm2 @ 77K 0T

Resistività superficiale Rs

< 1 m Ohm @ 10 GHz, 77K, 0T

Spessore del film sottile

100 ~ 500 nm

Uniformità per wafer da 2

Spessore 300-400nm

Tc 86K-90K

Jc 3 +/-0,5 MA/cm2 all'80% del centro del wafer.

Nota:Il campione deve essere conservato in una scatola asciutta e in un forno a vuoto, altrimenti la Tc potrebbe essere inferiore. L'anealing del campione a 500oC per < 30 minuti può recuperare la Tc.

Pacchetto

Sigillato sotto vuoto in una scatola di plastica e in un sacchetto.