Film sottile YBCO 500nm (due lati) su Al2O3 (piano R), 10x5x0,5 mm

Composizione del film sottile epitassiale

<100> YBCO

Dimensione del film

sia per film monofacciale che bifacciale

YBCO / LaAlO3 10x10 mm ~ 3" dia.

YBCO / LSAT 10x10 mm ~ 2" dia.

YBCO / Al2O3 10x10 mm ~ 3" dia

YBCO / STO 10x10 mm ~ 1" dia.

FWHM epitassiale

< 0.2 ^o

Temperatura di transizione critica Tc

 90 K+/-5%

Intervallo di temperatura di transizione Tc

< 0.5 K

Corrente critica Jc

2~3 MA/cm2 @ 77K 0T

Resistività superficiale Rs

< 1 m Ohm @ 10 GHz, 77K, 0T

Spessore del film sottile

100 ~ 500 nm 

Uniformità per wafer da 2

Spessore 300- 400 nm 

Tc 86K-90K 

Jc 3 +/-0,5 MA/cm²  all'80% del centro del wafer.

Nota:
Il campione deve essere conservato in una scatola asciutta e in un forno a vuoto, altrimenti la Tc potrebbe essere inferiore. L'anealing del campione a 500oC per < 30 minuti può recuperare la Tc.

Pacchetto

Sigillato sotto vuoto in una scatola di plastica e in un sacchetto.