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MTI | SKU:
FmPt200Ti50SO500onSiBa100505
Film sottile SiO2+Ti+Pt su substrato di Si, 10x5x0.5mm, 1sp, drogato B, (SiO2=500nm, Ti=50nm, Pt=200nm)
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Film sottile SiO2+Ti+Pt su substrato di Si, 10x5x0.5mm, 1sp, drogato B, (SiO2=500nm, Ti=50nm, Pt=200nm)
MTI
Specifiche del wafer di silicio:
- Tipo conduttivo: Film sottile di SiO2+Ti+Pt su substrato di Si (drogato B), 10x5x0.5mm, 1sp (SiO2=500nm, Ti=50nm, Pt=200nm)
- Resistività: <0,005 ohm.cm
- Dimensioni: 10x5 x 0,5 mm
- Lucidatura: un lato lucidato
- Rugosità superficiale: < 5A, RMS
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