Film sottile SiO2+Pt su substrato di Si (drogato con B), 10x10x0,5mm, 1sp (SiO2=500nm, Pt=60nm)

Specifiche del wafer di silicio:

• Tipo conduttivo: Film sottile di SiO2+Pt su substrato di Si (drogato B, (100)Ori.), 10x10x0.5mm, 1sp (SiO2=500nm, Pt=60nm)
  
• Resistività: <0,005 ohm.cm   (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
• Dimensioni: 10x10 x 0,5 mm
• Polacco: un lato lucidato
• Rugosità superficiale: < 5A

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