MTI  |  SKU: Fm3CSiConSiPc101010S2FT1

Film SiC-3C di tipo N su wafer di silicio (111), film: 1,0um Spessore del substrato: 10x10x1,0 mm

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Film SiC-3C di tipo N su wafer di silicio (111), film: 1,0um Spessore del substrato: 10x10x1,0 mm

MTI

Specifiche:

  • Film:  Pellicola SiC Epi con struttura 3C cresciuta tramite PECVD
    • Spessore: 1.0um +/- 10%  
    • Orientamento: 3C SiC (111)
    • Superficie: CMP - lucidatura chimica meccanica a film con Ra < 10 Angstrom
    • Tipo e drogante: Tipo N, non drogato
    • Densità di difetti superficiali (ispezione microscopica di cristalliti o altri macrodifetti) <= 3E3cm^2
    • TTV 5-29 
    • Arco -9 ~ 3 
  • Substrato di silicio: 
    • Dimensioni: 10x10 x 1,0 mm di spessore 
    • Orientamento: (111)
    • Tipo: tipo N / drogato P 
    • Resistività: 1- 10 ohm.cm
    • Lucidatura: Entrambi i lati lucidati otticamente 


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