MTI | SKU: FmYBCOonSTOa101005S1FT300nm

Film di YBCO da un lato (300-400) nm su substrato SrTiO3 (100) 10x10x0,5 mm

Name: Film di YBCO da un lato (300-400) nm su substrato SrTiO3 (100) 10x10x0,5 mm
Brand: MTI
SKU: FmYBCOonSTOa101005S1FT300nm
Price: 405.81 EUR
Availability: InStock

€405,81

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

Film di YBCO da un lato (300-400) nm su substrato SrTiO3 (100) 10x10x0,5 mm

MTI

Film sottile epitassiale YBCO HTS su substrato SrTiO3 fino a 30 mm di diametro

MTI Corp si unisce a numerosi istituti di ricerca in tutto il mondo per realizzare finalmente superconduttori ad alta Tc superconduttori ad alta Tc, finalmente disponibili in commercio a un prezzo accessibile. MTI fornisce film epitassiali bifacciali di alta qualità. fino a 3" di diametro su substrati di cristallo singolo LaAlO3, LSAT, Al2O3 e SrTiO3 grazie a una tecnologia unica.

In questo modo il film sottile YBCO sarà disponibile a basso costo. I ricercatori non hanno più bisogno di coltivare film sottili, ma concentrano il loro talento sui dispositivi legati ai film HTSC, come i filtri a microonde per il wireless e gli HTSC Squid.

Specifiche principali del film HTS

Composizione del film sottile epitassiale	<100> YBCO
Dimensione del film sia per film monofacciale che bifacciale	YBCO / LaAlO3 10x10 mm ~ 3" dia. YBCO / LSAT 10x10 mm ~ 2" dia. YBCO / Al2O3 10x10 mm ~ 3" dia YBCO / STO 10x10 mm ~ 1" dia.
FWHM epitassiale	< 0.2 ^o
Temperatura di transizione critica Tc	90 K+/-5%
Intervallo di temperatura di transizione Tc	< 0.5 K
Corrente critica Jc	2~3 MA/cm2 @ 77K 0T
Resistività superficiale Rs	< 1 m Ohm @ 10 GHz, 77K, 0T
Spessore del film sottile	100 ~ 500 nm
Uniformità per wafer da 2	Spessore 300-400nm Tc 86K- 90K Jc 3 +/-0,5 MA/cm² all'80% del centro del wafer. Nota: Il campione deve essere conservato in una scatola asciutta e in un forno a vuoto, altrimenti la Tc potrebbe essere inferiore. L'anealing del campione a 500oC per < 30 minuti può recuperare la Tc.
Pacchetto	Sigillato sotto vuoto in una scatola di plastica e in un sacchetto.

Nota: YBCO è molto sensibile all'umidità, e deve essere conservato in essiccatore scatola.

Prodotti correlati


Film sottili dalla A alla Z	Wafer di cristallo A-Z	Pulitore al plasma	Contenitori per wafer	Camere di stoccaggio sotto vuoto	Sega per cubettatura	Rivestitore di film

Film di YBCO da un lato (300-400) nm su substrato SrTiO3 (100) 10x10x0,5 mm

Consegna e spedizione nell'UE

Film sottile epitassiale YBCO HTS su substrato SrTiO3 fino a 30 mm di diametro

In questo modo il film sottile YBCO sarà disponibile a basso costo. I ricercatori non hanno più bisogno di coltivare film sottili, ma concentrano il loro talento sui dispositivi legati ai film HTSC, come i filtri a microonde per il wireless e gli HTSC Squid.

Specifiche principali del film HTS

Composizione del film sottile epitassiale

<100> YBCO

Dimensione del film

sia per film monofacciale che bifacciale

YBCO / LaAlO3 10x10 mm ~ 3" dia.

YBCO / LSAT 10x10 mm ~ 2" dia.

YBCO / Al2O3 10x10 mm ~ 3" dia

YBCO / STO 10x10 mm ~ 1" dia.

FWHM epitassiale

< 0.2 o

Temperatura di transizione critica Tc

90 K+/-5%

Intervallo di temperatura di transizione Tc

< 0.5 K

Corrente critica Jc

2~3 MA/cm2 @ 77K 0T

Resistività superficiale Rs

< 1 m Ohm @ 10 GHz, 77K, 0T

Spessore del film sottile

100 ~ 500 nm

Uniformità per wafer da 2

Spessore 300-400nm

Tc 86K- 90K

Jc 3 +/-0,5 MA/cm2 all'80% del centro del wafer.

Nota:Il campione deve essere conservato in una scatola asciutta e in un forno a vuoto, altrimenti la Tc potrebbe essere inferiore. L'anealing del campione a 500oC per < 30 minuti può recuperare la Tc.

Pacchetto

Sigillato sotto vuoto in una scatola di plastica e in un sacchetto.

Film di YBCO da un lato (300-400) nm su substrato SrTiO3 (100) 10x10x0,5 mm

Film sottile epitassiale YBCO HTS su substrato SrTiO3 fino a 30 mm di diametro

In questo modo il film sottile YBCO sarà disponibile a basso costo. I ricercatori non hanno più bisogno di coltivare film sottili, ma concentrano il loro talento sui dispositivi legati ai film HTSC, come i filtri a microonde per il wireless e gli HTSC Squid.

Specifiche principali del film HTS

Composizione del film sottile epitassiale

<100> YBCO

Dimensione del film

sia per film monofacciale che bifacciale

YBCO / LaAlO3 10x10 mm ~ 3" dia.

YBCO / LSAT 10x10 mm ~ 2" dia.

YBCO / Al2O3 10x10 mm ~ 3" dia

YBCO / STO 10x10 mm ~ 1" dia.

FWHM epitassiale

< 0.2 o

Temperatura di transizione critica Tc

90 K+/-5%

Intervallo di temperatura di transizione Tc

< 0.5 K

Corrente critica Jc

2~3 MA/cm2 @ 77K 0T

Resistività superficiale Rs

< 1 m Ohm @ 10 GHz, 77K, 0T

Spessore del film sottile

100 ~ 500 nm

Uniformità per wafer da 2

Spessore 300-400nm

Tc 86K- 90K

Jc 3 +/-0,5 MA/cm2 all'80% del centro del wafer.

Nota:Il campione deve essere conservato in una scatola asciutta e in un forno a vuoto, altrimenti la Tc potrebbe essere inferiore. L'anealing del campione a 500oC per < 30 minuti può recuperare la Tc.

Pacchetto

Sigillato sotto vuoto in una scatola di plastica e in un sacchetto.

< 0.2 ^o

Jc 3 +/-0,5 MA/cm² all'80% del centro del wafer.

Nota:
Il campione deve essere conservato in una scatola asciutta e in un forno a vuoto, altrimenti la Tc potrebbe essere inferiore. L'anealing del campione a 500oC per < 30 minuti può recuperare la Tc.

< 0.2 ^o

Jc 3 +/-0,5 MA/cm² all'80% del centro del wafer.

Nota:
Il campione deve essere conservato in una scatola asciutta e in un forno a vuoto, altrimenti la Tc potrebbe essere inferiore. L'anealing del campione a 500oC per < 30 minuti può recuperare la Tc.