MTI  |  SKU: FmCu100Ta20onSiBa101005S1R1

Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

MTI

Specifiche:

  • Wafer di Si rivestito di Cu (dimensione 10x10 mm)
  • Spessore del film Cu <111> policristallino altamente orientato: 100 nm
  • Spessore della barriera di diffusione Ta: 20-50 nm
  •   Wafer di Si di 0,525 mm di spessore (Prime Grade)
  • Tipo P, drogato B, orientamento <100>, SSP
  • Resistività: 1-20 ohm-cm
  • Ruvidità superficiale: come cresciuto, RA < 10 nm
  • Confezione: Una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
  • 10 pezzi per confezione per ordine minimo
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