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FmCu100Ta20onSiBa101005S1R1
Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp
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Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp
MTI
Specifiche:
- Wafer di Si rivestito di Cu (dimensione 10x10 mm)
- Spessore del film Cu <111> policristallino altamente orientato: 100 nm
- Spessore della barriera di diffusione Ta: 20-50 nm
- Wafer di Si di 0,525 mm di spessore (Prime Grade)
- Tipo P, drogato B, orientamento <100>, SSP
- Resistività: 1-20 ohm-cm
- Ruvidità superficiale: come cresciuto, RA < 10 nm
- Confezione: Una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
- 10 pezzi per confezione per ordine minimo
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