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MTI | SKU:
FmCu100Ta50SO300onSiBa101005
Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp
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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp
MTI
Specifiche:
- Wafer SiO2/Si rivestito di Cu (dimensioni 10x10 mm)
- Spessore del film Cu <111> policristallino: 100 nm
- Spessore della barriera di diffusione Ta: 50 nm
- Wafer SiO2/ Si da 10x10x0,5 mm (grado primario)
- Tipo P, drogato B, orientamento <100>, SSP
- Resistività: 1-20 ohm-cm
- ossido termico: 300 nm
- Rugosità superficiale: come da crescita
- Confezione: Una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
- 10 pezzi per confezione per ordine minimo
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