Deposizione chimica in fase di vapore potenziata con plasma ad alto vuoto (tipo CCP) - VTC-PECVD
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Deposizione chimica in fase di vapore potenziata con plasma ad alto vuoto (tipo CCP) - VTC-PECVD
MTI
Il VTC-PECVD è un sistema di tipo CCP (Capacitively Coupled Plasma) per la deposizione chimica da vapore (PECVD) con camera ad alto vuoto. È progettato per il rivestimento di film sottili assistito da plasma a temperature ridotte (200 ~ 500°C), rispetto alla deposizione normale a 700 ~ 950°C. La camera ad alto vuoto fornisce inoltre un ambiente pulito che migliora notevolmente le dimensioni, l'uniformità e la qualità del film.
SPECIFICHE
Potenza |
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Potenza della sorgente |
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Crescita PECVD |
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Pompa a vuoto |
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Refrigeratore d'acqua![]() |
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Sistema di erogazione del gas (opzionale) |
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Peso netto della spalmatrice |
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Dimensioni |
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Conformità |
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Garanzia |
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Video dimostrativo del funzionamento |
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