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Wafer di zaffiro Al2O3, piano R, diametro 2" x 0,5 mm, 2sp - ALR50D05C2

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Wafer di zaffiro Al2O3, piano R, diametro 3" x 0,5 mm, 1SP, orientamento con 45 gradi in senso antiorario rispetto alla proiezione dell'asse C sul piano R

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Al2O3- X-tal Barre 0,06 "x,25"

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Wafe in Al2O3-Saffiro, piano R, 0,5 "x0,5 "x0,5 mm, 1SP - ALR121205S1

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Wafe in Al2O3-Saffiro, piano R, 0,5 "x0,5 "x0,5mm, 2SP - ALR121205S2

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Wafe in Al2O3-Saffiro, piano R, 5x5x0,5mm, 2SP - ALR050505S2

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Wafer in Al2O3-Saffiro, piano M, 1 "Dia x 0,5 mm, 2SP - ALM25D05C2

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Wafer di Al2O3-Saffiro, piano R, 10x10x0,5mm, 2SP - ALR101005S2

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Sistema di forni tubolari combinati ALD e PECVD - OTF-1200X-ALD

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Valvola ALD, 1/4 in. VCR femmina, SC-01, attuatore NC - 6LVV-ALD3FR4-P-C-LD

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Valvola ALD, a 3 porte, schema C, raccordi VCR femmina da 1/4 in. Raccordi VCR femmina, 6LVV-ALD3TC333P-C

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Cristallo di quarzo legato per deposizione ad alta sollecitazione - EQ-QC-ALLOY-LD

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Substrato ceramico AlN 1 "x1 "x 0,5mm, 1SP - CmAlN252505S1

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Substrato ceramico AlN 1 "x1 "x 0,635 mm, rettifica fine

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Substrato ceramico AlN 10x10x 0,5 mm, 1SP - CmAlN101005S1

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Substrato ceramico AlN 114,3 mm x 114,3 mm x 0,5 mm, lappato su entrambi i lati - CmAlN11411405SN

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Substrato ceramico AlN 2 "x2 "x 0,5 mm, 1SP

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Substrato ceramico AlN 2 "x2 "x 1,0 mm, come lappatura - CmAlN505010SN

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Substrato ceramico AlN 2 "x2 "x0,254 mm, come lappato, CmAlN50500254SN

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Templato AlN su 4" di silicio (Si <111>tipo P, drogato B) 4 "x 500 nm - FmAlNonSiBc101D05C1FT500nmUS